řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 215-2517
Výrobní číslo:: IPD80R900P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

25 667,50 Kč

(bez DPH)

31 057,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	10,267 Kč	25 667,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 215-2517
Výrobní číslo:: IPD80R900P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	800V CoolMOS P7
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	900mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd	45W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada 800V CoolMOS P7
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd 45W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD80R900P7ATMA1

MOSFET Infineon 800 V CoolMOS řady P7, napětí zdroje vypouštění 800 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A – IPD80R900P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro převod výkonu a energeticky úsporné spínání v náročných prostředích. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v pouzdru pro povrchovou montáž vhodném pro kompaktní uspořádání desek, díky čemuž je vhodný pro průmyslové a napájecí elektronické aplikace, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 800 V umožňuje spínání vysokonapěťových systémů
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporuje mírné zátěžové proudy
• Nízký odpor při zapnutí 900 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Typické náboje hradla 15 nC umožňuje rychlejší odezvu hradla
• Maximální ztrátový výkon 45 W zvládá značné tepelné namáhání
• Tolerance zdroje hradla až 20 V umožňuje použití běžných napětí pohonu hradla

Aplikace

• Ideální pro napájecí zdroje ve vysokonapěťových měničích
• Používá se pro spínané přepínání stupňů napájení
• Vhodné pro přední konce průmyslových měničů
• Lze použít pro vysokonapěťové obvody motorových pohonů
• Používá se s kompaktními sestavami pro povrchovou montáž na PCB

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a pokrývá aplikace s nízkými teplotami a zvýšenými spoji.

Jak je namontován na desku plošných spojů a jaké pouzdro používá?

Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro montáž na povrch s cílem ušetřit plochu desky.

Jaké vodivé chování mám očekávat při zátěži?

Zařízení vykazuje odpor při zapnutí až 900 mΩ, který ovlivňuje vodivé ztráty a tepelnou konstrukci pro nepřetržité proudy až 6 A.

Jaké požadavky na pohon hradla jsou nezbytné pro bezpečný provoz?

Jmenovité napětí hradla-zdroje je ±20 V a typický celkový náboj hradla je 15 nC, což informuje o schopnosti ovladače a přepínání energetického rozpočtu.