řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 3 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 215-2512
- Výrobní číslo:
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
17 707,50 Kč
(bez DPH)
21 425,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 7,083 Kč | 17 707,50 Kč |
| 5000 + | 6,729 Kč | 16 822,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2512
- Výrobní číslo:
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | 800V CoolMOS P7 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 24W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada 800V CoolMOS P7 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 24W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada superjunction MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 je ideální pro aplikace SMPS s nízkým výkonem, protože plně vyhovuje potřebám trhu, pokud jde o výkon, snadné použití a poměr cena/výkon. Zaměřuje se především na aplikace pro zpětné létání, včetně adaptéru a nabíječky, ovladače LED, audio SMPS, AUX a průmyslové napájení. Tato nová produktová řada nabízí až 0.6% zvýšení účinnosti a o 2 °C až 8 °C nižší teplotu MOSFET ve srovnání s jeho předchůdcem a také konkurenční díly testované v typických aplikacích zpětného odlétování. Umožňuje také vyšší hustotu výkonu díky nižším ztrátám při spínání a lepším produktům DPAK RDS (ON).
Integrovaná Zenerova dioda ESD ochrana do třídy 2 (HBM)
Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě
Plně optimalizované portfolio
Související odkazy
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET IPD80R2K0P7ATMA1 Typ N-kanálový 3 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET IPD80R2K4P7ATMA1 Typ N-kanálový 2.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET IPD80R900P7ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení