řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD100N06S403ATMA2 Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 215-2502
- Výrobní číslo:
- IPD100N06S403ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
382,36 Kč
(bez DPH)
462,66 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 38,236 Kč | 382,36 Kč |
| 50 - 90 | 36,334 Kč | 363,34 Kč |
| 100 - 240 | 34,802 Kč | 348,02 Kč |
| 250 - 490 | 33,246 Kč | 332,46 Kč |
| 500 + | 30,949 Kč | 309,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2502
- Výrobní číslo:
- IPD100N06S403ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS-T2 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 128nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS-T2 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 128nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptMOS®-T2 má 100V maximální napětí zdroje vypouštění, N-kanál, automobilový MOSFET, s DPAK(TO-252)balení.
N-kanál – Režim rozlišení
MSL1 až 260°C Peak přetavení
Provozní teplota 175 °C
Velmi nízká RDSon
Mimořádně vysoké ID
Související odkazy
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET Typ N-kanálový 25 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET Typ N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD90N06S4L03ATMA2 Typ N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD25N06S4L30ATMA2 Typ N-kanálový 25 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový