řada: CoolMOS MOSFET SPD06N80C3ATMA1 Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4481
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-429
- Výrobní číslo:
- SPD06N80C3ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
323,08 Kč
(bez DPH)
390,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 980 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 32,308 Kč | 323,08 Kč |
| 50 - 90 | 30,702 Kč | 307,02 Kč |
| 100 - 240 | 29,442 Kč | 294,42 Kč |
| 250 - 490 | 28,109 Kč | 281,09 Kč |
| 500 + | 26,207 Kč | 262,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4481
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-429
- Výrobní číslo:
- SPD06N80C3ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento MOSFET Infineon Cool MOS využívá novou revoluční vysokonapěťovou technologii a má vysokou proudovou kapacitu Peak.
Velmi nízké efektivní kapacity
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS C3 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 2 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET SPD02N80C3ATMA1 Typ N-kanálový 2 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C3 MOSFET SPD04N80C3ATMA1 Typ N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 5.7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení