řada: HEXFET MOSFET IRL1404STRLPBF N-kanálový 160 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4466
- Výrobní číslo:
- IRL1404STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
569,09 Kč
(bez DPH)
688,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 500 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 56,909 Kč | 569,09 Kč |
| 20 - 40 | 54,068 Kč | 540,68 Kč |
| 50 - 90 | 51,771 Kč | 517,71 Kč |
| 100 - 240 | 49,499 Kč | 494,99 Kč |
| 250 + | 46,09 Kč | 460,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4466
- Výrobní číslo:
- IRL1404STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 160A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 160A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonový MOSFET HEXFET využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Dalšími vlastnostmi tohoto designu jsou provozní teplota 175°C, rychlá spínací rychlost a vylepšená opakovaná lavina
Je bezolovnaté
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3306TRLPBF Typ N-kanálový 160 A 60 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF2804STRL7PP Typ N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 362 A 40 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový