řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET SCTWA90N65G2V-4 N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Řada | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 157nC | |
| Přímé napětí Vf | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 656W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Řada SCTWA90N65G2V-4 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 157nC | ||
Přímé napětí Vf 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 656W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Šířka 21.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency