řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 157nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 656W | |
| Přímé napětí Vf | 2.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SCTWA90N65G2V-4 | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 157nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 656W | ||
Přímé napětí Vf 2.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Šířka 21.1mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency