řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET SCTWA90N65G2V-4 Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
3 165,30 Kč
(bez DPH)
3 830,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 633,06 Kč |
| 10 - 24 | 625,40 Kč |
| 25 + | 617,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 213-3945P
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 656W | |
| Přímé napětí Vf | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SCTWA90N65G2V-4 | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 656W | ||
Přímé napětí Vf 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency