řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

3 165,30 Kč

(bez DPH)

3 830,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
5 - 9633,06 Kč
10 - 24625,40 Kč
25 +617,75 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
213-3945P
Výrobní číslo:
SCTWA90N65G2V-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

119A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

Hip-247

Řada

SCTWA90N65G2V-4

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

24mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

157nC

Přímé napětí Vf

2.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

656W

Maximální provozní teplota

200°C

Normy/schválení

No

Délka

15.9mm

Výška

5.1mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.