řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
213-3943
Výrobní číslo:
SCTWA90N65G2V-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

119A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCTWA90N65G2V-4

Typ balení

Hip-247

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

24mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

656W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

2.5V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

157nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Maximální provozní teplota

200°C

Normy/schválení

No

Délka

15.9mm

Šířka

21.1mm

Výška

5.1mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.