řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET SCTWA90N65G2V-4 Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 213-3945
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
647,88 Kč
(bez DPH)
783,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 647,88 Kč |
| 5 - 9 | 633,06 Kč |
| 10 - 24 | 625,40 Kč |
| 25 + | 617,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 213-3945
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Řada | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 656W | |
| Přímé napětí Vf | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Řada SCTWA90N65G2V-4 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 656W | ||
Přímé napětí Vf 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Související odkazy
- řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTW90 MOSFET SCTW90N65G2V Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCTW90 MOSFET Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET SCTWA35N65G2V-4 Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4
- řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTW35 MOSFET SCTW35N65G2V Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCT MOSFET SCTW35N65G2VAG Typ N-kanálový 45 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 HIP-247-3, počet