řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET SCTWA90N65G2V-4 Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 213-3945
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
672,58 Kč
(bez DPH)
813,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 672,58 Kč |
| 5 - 9 | 654,80 Kč |
| 10 - 24 | 638,25 Kč |
| 25 + | 622,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 213-3945
- Výrobní číslo:
- SCTWA90N65G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 119A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 656W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 119A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SCTWA90N65G2V-4 | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 656W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Související odkazy
- řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTW90 MOSFET SCTW90N65G2V Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCTW90 MOSFET Typ N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET SCTWA35N65G2V-4 Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4
- řada: SCTWA35N65G2V-4 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SCT MOSFET SCTW35N65G2VAG Typ N-kanálový 45 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCTW35 MOSFET SCTW35N65G2V Typ N-kanálový 45 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 HIP-247-3, počet