řada: SCTWA90N65G2V-4 MOSFET SCTWA90N65G2V-4 N-kanálový 119 A 650 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 4

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
213-3945
Výrobní číslo:
SCTWA90N65G2V-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

119A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

Hip-247

Řada

SCTWA90N65G2V-4

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

24mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

2.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

157nC

Maximální ztrátový výkon Pd

656W

Maximální provozní teplota

200°C

Výška

5.1mm

Šířka

21.1mm

Normy/schválení

No

Délka

15.9mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.