řada: SCTL35N65G2V MOSFET SCTL35N65G2V N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 16%

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

381,86 Kč

(bez DPH)

462,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 11. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
Úspora
1 - 9381,86 Kč-
10 - 99320,11 Kč16%
100 - 499316,16 Kč17%
500 - 999312,46 Kč18%
1000 +308,75 Kč19%

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
213-3942
Výrobní číslo:
SCTL35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCTL35N65G2V

Typ balení

PowerFLAT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Přímé napětí Vf

3.3V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

417W

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

950μm

Normy/schválení

No

Délka

8.1mm

Šířka

8.1mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.