řada: SCTL35N65G2V MOSFET SCTL35N65G2V Typ N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 213-3942
- Výrobní číslo:
- SCTL35N65G2V
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
381,86 Kč
(bez DPH)
462,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 381,86 Kč |
| 10 - 99 | 320,11 Kč |
| 100 - 499 | 316,16 Kč |
| 500 - 999 | 312,46 Kč |
| 1000 + | 308,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 213-3942
- Výrobní číslo:
- SCTL35N65G2V
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | SCTL35N65G2V | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 67mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 417W | |
| Přímé napětí Vf | 3.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 0.95mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Šířka | 8.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada SCTL35N65G2V | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 67mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 417W | ||
Přímé napětí Vf 3.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 0.95mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Šířka 8.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Související odkazy
- řada: SCTL35N65G2V MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: ST8L65N0 Výkonový MOSFET ST8L65N050DM9 N kanál-kanálový 35 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: ST8L65N0 Výkonový MOSFET ST8L65N065DM9 N kanál-kanálový 44 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: ST8L65 Jednoduché tranzistory MOSFET ST8L65N044M9 Typ N-kanálový 58 A 650 V STMicroelectronics počet
- řada: STL Mosfetový kanál N STL160N4F8 Typ N-kanálový 154 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: STL MOSFET Typ N-kanálový 167 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení N-kanál
- řada: Stl Výkonový MOSFET STL140N4LF8 N kanál-kanálový 144 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8
- řada: STL260N MOSFET Typ N-kanálový 120 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový