řada: SCTL35N65G2V MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

972 528,00 Kč

(bez DPH)

1 176 759,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 05. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +324,176 Kč972 528,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
213-3941
Výrobní číslo:
SCTL35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PowerFLAT

Řada

SCTL35N65G2V

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

3.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

417W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

8.1mm

Výška

0.95mm

Délka

8.1mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.