řada: SCTL35N65G2V MOSFET N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

972 528,00 Kč

(bez DPH)

1 176 759,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 04. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +324,176 Kč972 528,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
213-3941
Výrobní číslo:
SCTL35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PowerFLAT

Řada

SCTL35N65G2V

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

417W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Přímé napětí Vf

3.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

8.1mm

Normy/schválení

No

Délka

8.1mm

Výška

950μm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.