řada: SCTL35N65G2V MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

983 277,00 Kč

(bez DPH)

1 189 764,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 28. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +327,759 Kč983 277,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
213-3941
Výrobní číslo:
SCTL35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCTL35N65G2V

Typ balení

PowerFLAT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Přímé napětí Vf

3.3V

Maximální ztrátový výkon Pd

417W

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

0.95mm

Normy/schválení

No

Délka

8.1mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy