řada: STWA68N65DM6 MOSFET STWA68N65DM6 N-kanálový 48 A 650 V, TO-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
212-2108
Výrobní číslo:
STWA68N65DM6
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Řada

STWA68N65DM6

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

48 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

650 V

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

3

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální odpor zdroje (Rds)

0.059 Ω

Typ montáže

Průchozí otvor

MDMesh M6 MOSFET N-CH


The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.