MOSFET STW68N65DM6-4AG N-kanálový 72 A 650 V, TO-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4 kolíkový

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
210-8748
Výrobní číslo:
STW68N65DM6-4AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

72 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

650 V

Typ balení

TO-247-4

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje (Rds)

39 mΩ

Typ montáže

Průchozí otvor

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Zener-protected

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.