AEC-Q101, řada: SCT MOSFET SCT012W90G3-4AG N-kanálový 110 A 900 V, Hip-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 482-970
- Výrobní číslo:
- SCT012W90G3-4AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 5 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
470,04 Kč
(bez DPH)
568,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 25 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 470,04 Kč | - |
| 5 + | 464,36 Kč | 1% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 482-970
- Výrobní číslo:
- SCT012W90G3-4AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 900V | |
| Řada | SCT | |
| Typ balení | Hip-247-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Délka | 21mm | |
| Výška | 5mm | |
| Šířka | 15.8mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 900V | ||
Řada SCT | ||
Typ balení Hip-247-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Délka 21mm | ||
Výška 5mm | ||
Šířka 15.8mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Zařízení STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 3. generace společnosti ST. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkou kapacitou a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace z hlediska frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.
Kvalifikace AEC-Q101
Vysokorychlostní spínací výkony
Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem
Související odkazy
- AEC-Q101 Hip-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 Hip-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247-4 STMicroelectronics, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4