řada: E MOSFET SIHH240N60E-T1-GE3 N-kanálový 12 A 600 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4989
- Výrobní číslo:
- SIHH240N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 210-4989
- Výrobní číslo:
- SIHH240N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 208mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 7.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 7.9mm | |
| Výška | 900μm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 208mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 7.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 7.9mm | ||
Výška 900μm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady Vishay E má typ PowerPAK 8 x 8 s jednoduchou konfigurací.
Technologie 4. Generace řady E.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacita (co(er))
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
Lavinová energie jmenovitá (UIS)
Související odkazy
- řada: E MOSFET SIHH240N60E-T1-GE3 N-kanálový 12 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR120N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR100N60E-T1-GE3 N-kanálový 38 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI7415DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.7 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SISS5708DN-T1-GE3 N-kanálový 33.8 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI7120BDN-T1-GE3 N-kanálový 14 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiJA MOSFET SiJA54ADP-T1-GE3 N-kanálový 126 A 40 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení