řada: TrenchFET MOSFET SIRA14BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

14,33 Kč

(bez DPH)

17,34 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y
za pásku
1 +14,33 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
735-115
Výrobní číslo:
SIRA14BDP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0105Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.2nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

17W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.25mm

Výška

1.1mm

Šířka

5.3mm

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TW
MOSFET Vishay N-kanál je navržen pro efektivní a spolehlivé spínání napájení ve vysoce výkonné výkonové elektronice. Je plně testován Rg a UIS, aby byla zajištěna robustnost při elektrickém namáhání a náročných provozních podmínkách. Optimalizovaný pro nízké ztráty a rychlé spínání, podporuje kompaktní konstrukce s vysokou hustotou výkonu při splnění požadavků v souladu s RoHS a bez obsahu halogenů.

Nabízí 100% testování Rg a UIS pro osvědčenou spolehlivost zařízení

Podporuje aplikace s měničem DC/DC s vysokou hustotou výkonu

Umožňuje efektivní synchronní usměrňování

Splňuje normy RoHS a požadavky bez obsahu halogenů

Související odkazy