řada: E MOSFET SIHA21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 7.5 A 800 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4965
- Výrobní číslo:
- SIHA21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
218,35 Kč
(bez DPH)
264,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 925 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 43,67 Kč | 218,35 Kč |
| 50 - 120 | 39,322 Kč | 196,61 Kč |
| 125 - 245 | 34,482 Kč | 172,41 Kč |
| 250 - 495 | 31,912 Kč | 159,56 Kč |
| 500 + | 27,516 Kč | 137,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4965
- Výrobní číslo:
- SIHA21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 205mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 33W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 28.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.7 mm | |
| Výška | 4.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 205mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 33W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 28.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.7 mm | ||
Výška 4.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady Vishay E má typ s tenkým vedením NA 220 FULLPAK a odvodným proudem 7.5 A.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacita (co(er))
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
Lavinová energie jmenovitá (UIS)
Související odkazy
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 7.5 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP15N80AE-GE3 Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHA15N80AE-GE3 Typ N-kanálový 6 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHA17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 7 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení