řada: EF Výkonový MOSFET SiHA186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 210-4962
- Výrobní číslo:
- SiHA186N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 889,90 Kč
(bez DPH)
3 496,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 950 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 57,798 Kč | 2 889,90 Kč |
| 100 - 200 | 54,33 Kč | 2 716,50 Kč |
| 250 - 450 | 49,133 Kč | 2 456,65 Kč |
| 500 + | 46,238 Kč | 2 311,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 210-4962
- Výrobní číslo:
- SiHA186N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | EF | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 168mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 33W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.3mm | |
| Délka | 28.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada EF | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 168mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 33W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.3mm | ||
Délka 28.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay EF, napětí drain source 600 V, maximální ztrátový výkon 33 W – SiHA186N60EF-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro aplikace se spínaným napájením, kde je vyžadován robustní výkon odvodu ke zdroji a kompaktní montáž do průchozího otvoru. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro konstrukce vyžadující blokovací schopnost 600 V, poháněn standardními napětími hradla a namontován na konvenční chladicí uspořádání.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota 600 V umožňuje vysokonapěťové spínání ve stupních výkonu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 8.4 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 168 mΩ snižuje ztráty při vedení při provozním proudu
• Rozptýlení výkonu 33 W umožňuje trvalé tepelné zatížení pomocí chladiče
• Typický náboj hradla 21 nC zajišťuje předvídatelnou poptávku po spínací energii
• Maximální pohon hradla 30 V umožňuje běžná napětí pro pohon hradla
• nepřetržitý vypouštěcí proud 8.4 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 168 mΩ snižuje ztráty při vedení při provozním proudu
• Rozptýlení výkonu 33 W umožňuje trvalé tepelné zatížení pomocí chladiče
• Typický náboj hradla 21 nC zajišťuje předvídatelnou poptávku po spínací energii
• Maximální pohon hradla 30 V umožňuje běžná napětí pro pohon hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se pro převod energie v měničích obnovitelné energie
• Lze použít pro osvětlení předřadníků a obvodů řízení žárovek
• Vhodné pro laboratorní a prototypovací montáž průchozích otvorů
• Ideální pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se pro převod energie v měničích obnovitelné energie
• Lze použít pro osvětlení předřadníků a obvodů řízení žárovek
• Vhodné pro laboratorní a prototypovací montáž průchozích otvorů
Pro jaký rozsah napětí hradla bych měl navrhovat v řídicích obvodech?
Udržujte pohon hradla v rozsahu ±30 V vzhledem ke zdroji, přičemž typické spínání je řízeno napětím hradla až 30 V pro zajištění bezpečného provozu.
Jak řízení teploty ovlivňuje schopnost nepřetržitého proudu?
Nepřetržitý vypouštěcí proud závisí na tepelné odolnosti vůči okolnímu prostředí
použití chladiče pro udržení teploty spoje pod 150 °C zachovává jmenovitou kapacitu 8,4 A.
Je toto zařízení vhodné pro automobilové systémy vyžadující specifická schválení?
Neobsahuje schválení pro automobilový průmysl, takže by se nemělo specifikovat, kde jsou součásti certifikované pro automobilový průmysl povinné.
Jaké spínací faktory vyplývají z hodnoty náboje hradla?
Nabíjení hradla 21 nC definuje požadovaný proud budiče a přechodové doby spínání
rozměr budiče pro vyvážení spínacích ztrát a rychlosti přechodu.
Související odkazy
- řada: EF Výkonový MOSFET SiHA186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHG186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHB186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHA22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHF085N60EF-GE3 N-kanálový 13 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHF068N60EF-GE3 N-kanálový 16 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP125N60EF-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHP22N60EF MOSFET SIHP22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení