řada: NexFET MOSFET CSD25402Q3A Typ P-kanálový 76 A 20 V Texas Instruments, VSONP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 208-8492
- Výrobní číslo:
- CSD25402Q3A
- Výrobce:
- Texas Instruments
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, v balení po 25 ks)*
344,80 Kč
(bez DPH)
417,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 3 425 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 13,792 Kč | 344,80 Kč |
| 125 - 225 | 13,091 Kč | 327,28 Kč |
| 250 - 600 | 11,807 Kč | 295,18 Kč |
| 625 - 1225 | 10,601 Kč | 265,03 Kč |
| 1250 + | 10,078 Kč | 251,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 208-8492
- Výrobní číslo:
- CSD25402Q3A
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 76A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | VSONP | |
| Řada | NexFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 69W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.9mm | |
| Délka | 3.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 76A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení VSONP | ||
Řada NexFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 69W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.9mm | ||
Délka 3.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
-
-
Související odkazy
- řada: NexFET MOSFET Typ P-kanálový 76 A 20 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 50 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD17484F4 N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD16403Q5A N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD18543Q3A N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení