řada: NexFET MOSFET CSD18543Q3A Typ N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments, VSONP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 208-8482
- Výrobní číslo:
- CSD18543Q3A
- Výrobce:
- Texas Instruments
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
455,95 Kč
(bez DPH)
551,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 18,238 Kč | 455,95 Kč |
| 50 - 75 | 17,863 Kč | 446,58 Kč |
| 100 - 225 | 13,239 Kč | 330,98 Kč |
| 250 - 975 | 12,765 Kč | 319,13 Kč |
| 1000 + | 9,702 Kč | 242,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 208-8482
- Výrobní číslo:
- CSD18543Q3A
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | VSONP | |
| Řada | NexFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 66W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.25mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení VSONP | ||
Řada NexFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 66W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.25mm | ||
Výška 0.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
-
-
Související odkazy
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ P-kanálový 76 A 20 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD17484F4 Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD16403Q5A Typ N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení