řada: NexFET MOSFET CSD17575Q3 Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments, VSONP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 208-8480
- Výrobní číslo:
- CSD17575Q3
- Výrobce:
- Texas Instruments
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
267,15 Kč
(bez DPH)
323,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 17 210 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 26,715 Kč | 267,15 Kč |
| 50 - 90 | 26,162 Kč | 261,62 Kč |
| 100 - 240 | 20,017 Kč | 200,17 Kč |
| 250 - 990 | 19,799 Kč | 197,99 Kč |
| 1000 + | 17,764 Kč | 177,64 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 208-8480
- Výrobní číslo:
- CSD17575Q3
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | VSONP | |
| Řada | NexFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 108W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení VSONP | ||
Řada NexFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 108W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
-
-
Související odkazy
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 16 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 100 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET Typ P-kanálový 76 A 20 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD17484F4 Typ N-kanálový 3 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD18543Q3A Typ N-kanálový 12 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení