řada: DMN3061 MOSFET DMN3061SVT-7 N-kanálový 3.4 A 30 V, TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Duální
- Skladové číslo RS:
- 206-0083
- Výrobní číslo:
- DMN3061SVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
181,40 Kč
(bez DPH)
219,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 475 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 7,256 Kč | 181,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-0083
- Výrobní číslo:
- DMN3061SVT-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | DMN3061 | |
| Typ balení | TSOT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 200mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.08W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Délka | 2.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.6mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada DMN3061 | ||
Typ balení TSOT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 200mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.08W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Délka 2.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.6mm | ||
Výška 0.9mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET DiodesZetex 30V dual N- channel Enhancement mode je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu, a přitom udržoval vynikající spínací výkon, což je ideální pro vysoce efektivní řízení spotřeby. Jeho vstupní napětí je 20 v s tepelným ztrátovým výkonem 0,88 W.
Nízká vstupní kapacita
Vysoká rychlost spínání
Související odkazy
- řada: DMN3061 MOSFET N-kanálový 3.4 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Duální
- MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- řada: DMP3164 MOSFET Typ P-kanálový 2.8 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET DMC3071LVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET DMC2057UVT-7 Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- řada: DMC3060 MOSFET Typ P TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N TSOT, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2