řada: NTH MOSFET + Dioda N-kanálový 31 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 205-2501
- Výrobní číslo:
- NTHL080N120SC1A
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 205-2501
- Výrobní číslo:
- NTHL080N120SC1A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | NTH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 178W | |
| Přímé napětí Vf | 4V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 15.37mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.48mm | |
| Délka | 39.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada NTH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 178W | ||
Přímé napětí Vf 4V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 15.37mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.48mm | ||
Délka 39.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
ON SEMICONDUCTOR ŘADY NTH SIC N-channel 1200V MOSFET používá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se Silicon. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla. Výhody systému proto zahrnují nejvyšší účinnost, provozní frekvenci Faster, zvýšenou hustotu výkonu, snížené EMI a sníženou velikost systému.
Jmenovitý proud nepřetržitého vypouštění je 31A
Vypouštění ke zdroji při jmenovitém odporu je 110 kiloohmů
Vysokorychlostní spínání a nízká kapacita
Testováno 100 % UIL
Nízká účinná výstupní kapacita
Typ balení je TO-247-3LD
Související odkazy
- řada: NTH MOSFET + Dioda NTHL080N120SC1A N-kanálový 31 A 1200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 29 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 17.3 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 29 A 1200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTHL160N120SC1 N-kanálový 29 A 1200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTHL040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTH4L080N120SC1 N-kanálový 29 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení