řada: SiHB105N60EF MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

153 384,00 Kč

(bez DPH)

185 595,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +51,128 Kč153 384,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
204-7204
Výrobní číslo:
SIHB105N60EF-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

29A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-263

Řada

SiHB105N60EF

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

102mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

53nC

Maximální ztrátový výkon Pd

208W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

15.88mm

Délka

10.67mm

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET řady Vishay EF s diodou rychlého tělesa mají technologii řady E 4. Generace. Snížila ztráty při spínání a vedení.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (co(er))

Související odkazy