řada: SCTH50N120-7 Napájecí modul SiC SCTH50N120-7 N-kanálový 55 A 1.2 kV, H2PAK-7 STMicroelectronics, počet kolíků: 7

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
204-3954
Výrobní číslo:
SCTH50N120-7
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

55A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Řada

SCTH50N120-7

Typ balení

H2PAK-7

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.065Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Země původu (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.