řada: SCT30N120H Napájecí modul SiC SCT30N120H N-kanálový 45 A 1.2 kV, Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 204-3952
- Výrobní číslo:
- SCT30N120H
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 204-3952
- Výrobní číslo:
- SCT30N120H
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.2kV | |
| Řada | SCT30N120H | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.09Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.2kV | ||
Řada SCT30N120H | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.09Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Související odkazy
- řada: SCT30N120H Napájecí modul SiC SCT30N120H N-kanálový 45 A 1200 V počet kolíků: 3
- řada: SCT10N120H Napájecí modul SiC SCT10N120H N-kanálový 12 A 1200 V počet kolíků: 3
- AEC-Q101 Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCT Moduly MOSFET SCTWA30N120 N-kanálový 45 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET N-kanálový 45 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SCT30N120 N-kanálový 45 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení