řada: SCT10N120H Napájecí modul SiC SCT10N120H N-kanálový 12 A 1.2 kV, Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
204-3949
Výrobní číslo:
SCT10N120H
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Napájecí modul SiC

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Řada

SCT10N120H

Typ balení

Hip-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.52Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Země původu (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.