AEC-Q101, řada: NVT MOSFET NVTFS6H888NLTAG Typ N-kanálový 14 A 80 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 202-5751
- Výrobní číslo:
- NVTFS6H888NLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
1 044,60 Kč
(bez DPH)
1 264,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 400 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 10,446 Kč | 1 044,60 Kč |
| 500 - 900 | 9,006 Kč | 900,60 Kč |
| 1000 + | 7,813 Kč | 781,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5751
- Výrobní číslo:
- NVTFS6H888NLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | WDFN | |
| Řada | NVT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 23W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.55mm | |
| Výška | 3.55mm | |
| Šířka | 0.8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení WDFN | ||
Řada NVT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 23W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.55mm | ||
Výška 3.55mm | ||
Šířka 0.8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tranzistor MOSFET ON SEMICONDUCTOR N je napájen napětím 14 a a 80 V. Má malý prostor pro kompaktní design s nízkým RDS (ON), aby minimalizoval ztráty vedení.
Certifikace AEC Q101
Vyhovuje RoHS
Bez olova
Výrobek s mokrou bokem
Související odkazy
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C454NLTAG Typ N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C453NLTAG Typ N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení