AEC-Q101, řada: NVTFS6H854N MOSFET N-kanálový 44 A 80 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 185-8163
- Výrobní číslo:
- NVTFS6H854NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 185-8163
- Výrobní číslo:
- NVTFS6H854NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 44A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | WDFN | |
| Řada | NVTFS6H854N | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 750μm | |
| Délka | 3.15mm | |
| Šířka | 3.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 44A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení WDFN | ||
Řada NVTFS6H854N | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 750μm | ||
Délka 3.15mm | ||
Šířka 3.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nevyhovuje
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 3 x 3 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.
Malý půdorys (3,3 x 3,3 mm)
Nízký odpor při zapnutí
Nízká kapacita
NVTFS6H850NWF - vlhký květinový výrobek
Možnost PPAP
Kompaktní provedení
Minimalizuje ztráty vedením
Minimalizace ztrát budiče
Lepší optická kontrola
Vhodné pro automobilové aplikace
Aplikace
Ochrana proti obrácené polaritě
Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-můstky atd.)
Spínané napájecí zdroje
Koncové produkty
Elektromagnetický ovladač – ABS, vstřikování paliva
Řízení motoru - systém EPS, stěrače, ventilátory, sedadla atd.
Spínač zatížení - ECU, podvozek, karoserie
Související odkazy
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C454NLTAG N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C453NLTAG Typ N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení