AEC-Q101, řada: NVTFS6H850N MOSFET N-kanálový 68 A 80 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1500 kusech)*

15 846,00 Kč

(bez DPH)

19 173,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
1500 +10,564 Kč15 846,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
172-3321
Výrobní číslo:
NVTFS6H850NTAG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

68A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

WDFN

Řada

NVTFS6H850N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

9.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

19nC

Maximální ztrátový výkon Pd

107W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

800mV

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

3.15mm

Šířka

3.15mm

Normy/schválení

No

Výška

750μm

Automobilový standard

AEC-Q101

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.

Malý půdorys (5 x 6 mm)

Kompaktní provedení

Nízká hodnota rDS(on)

Minimalizace ztrát vedením

Nízká hodnota QG a kapacita

Minimalizace ztrát budiče

NVMFD5C446NLWF − možnost se smáčitelnými boky

Lepší optická kontrola

Možnost PPAP

Aplikace

Elektromagnetický ovladač

Budič Low Side / High Side

Automobilové řídicí jednotky motorů

Protiblokovací brzdové systémy

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.