AEC-Q101, řada: NVH MOSFET NVH4L160N120SC1 N-kanálový 17.3 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 202-5743
- Výrobní číslo:
- NVH4L160N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
959,84 Kč
(bez DPH)
1 161,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 191,968 Kč | 959,84 Kč |
| 50 + | 165,44 Kč | 827,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5743
- Výrobní číslo:
- NVH4L160N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | NVH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 4V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 111W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Výška | 22.74mm | |
| Šířka | 5.2mm | |
| Délka | 15.8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada NVH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 4V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 111W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Výška 22.74mm | ||
Šířka 5.2mm | ||
Délka 15.8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET, N-kanál – EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, TO247−4L
Výkonové tranzistory MOSFET ON SEMICONDUCTOR ze silikonového karbidu mají 17.3 a a 1200 V. Lze jej použít v automobilové palubní nabíječce, v aplikacích převodníku DC nebo DC.
Certifikace AEC Q101
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Nízká účinná výstupní kapacita
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET N-kanálový 102 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET NVH4L040N120SC1 N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET NVH4L020N120SC1 N-kanálový 102 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 17.3 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení