řada: ST MOSFET N-kanálový 15 A 600 V, TO-220 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 202-5507
- Výrobní číslo:
- STF22N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 2%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 968,10 Kč
(bez DPH)
2 381,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 200 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 39,362 Kč | 1 968,10 Kč | - |
| 250 - 450 | 38,378 Kč | 1 918,90 Kč | 2% |
| 500 + | 37,315 Kč | 1 865,75 Kč | 5% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5507
- Výrobní číslo:
- STF22N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | ST | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.196Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 30.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada ST | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.196Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 30.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nová technologie MDmesh™ M6 společnosti STMicroelectronics zahrnuje nejnovější vylepšení známé a konsolidované řady MOSFET MDmesh společnosti SJ. Společnost STMicroelectronics staví na předchozí generaci zařízení MDmesh díky své nové technologii M6.
Nízký vstupní odpor kulisy
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: ST MOSFET STF22N60M6 N-kanálový 15 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 30 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STF36N60M6 N-kanálový 30 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 25 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 52 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: STF MOSFET N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STWA67N60M6 N-kanálový 52 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STB33N60DM6 N-kanálový 25 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání