řada: ST MOSFET Typ N-kanálový 25 A 600 V, TO-263 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

77 402,00 Kč

(bez DPH)

93 656,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +77,402 Kč77 402,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
202-5495
Výrobní číslo:
STB33N60DM6
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-263

Řada

ST

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.115Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

35nC

Maximální ztrátový výkon Pd

190W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

15.85mm

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh™ DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovení (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na oblast s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu.

Extrémně vysoká odolnost dv/dt

Ochrana Zenerovou diodou

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.