řada: SiC MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 20 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 201-4416P
- Výrobní číslo:
- SCT20N120H
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
12 609,50 Kč
(bez DPH)
15 257,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 99 | 252,19 Kč |
| 100 - 249 | 248,98 Kč |
| 250 - 499 | 246,01 Kč |
| 500 + | 243,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 201-4416P
- Výrobní číslo:
- SCT20N120H
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | SiC MOSFET | |
| Typ balení | H2PAK-2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 203mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada SiC MOSFET | ||
Typ balení H2PAK-2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 203mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET využívá Advanced, inovativní vlastnosti materiálů s širokým pásmem. Materiál SIC má vynikající tepelné vlastnosti.
Velmi těsná variace odporu proti teplota
Schopnost velmi vysoké provozní teploty na křižovatce
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Nízká kapacita