řada: FDMS MOSFET Typ N-kanálový 116 A 80 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

83 838,00 Kč

(bez DPH)

101 445,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 07. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +27,946 Kč83 838,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
195-2498
Výrobní číslo:
FDMS4D5N08LC
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

116A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PQFN

Řada

FDMS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

7.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

113.6W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

51nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.05mm

Normy/schválení

No

Délka

5.85mm

Automobilový standard

Ne

Tento tranzistor MV MOSFET N-kanál je vyroben s použitím pokročilého procesu PowerTrench® společnosti ON Semiconductor, jehož součástí je technologie stínění hradla. Tento proces je optimalizován pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu. Zároveň si uchovává vynikající spínací výkon a diodu s nejlepším měkkým zotavením ve své třídě.

Technologie MOSFET se stíněným hradlem

Max. hodnota rDS(on) = 4,0 mΩ při VGS = 10 V, ID = 37 A

Max. hodnota rDS(on) = 11,1 mΩ při VGS = 4,5 V, ID = 29 A

O 50 % nižší hodnota Qrr než u ostatních dodavatelů tranzistorů MOSFET

Omezuje šum / rušení EMI při spínání

Možnost Pohonu Logické Úrovně

Použití

Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.