řada: FDMS MOSFET N-kanálový 116 A 80 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 195-2498
- Výrobní číslo:
- FDMS4D5N08LC
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
83 838,00 Kč
(bez DPH)
101 445,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 27,946 Kč | 83 838,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 195-2498
- Výrobní číslo:
- FDMS4D5N08LC
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 116A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | FDMS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 113.6W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.05mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Délka | 5.85mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 116A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada FDMS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 113.6W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.05mm | ||
Šířka 5mm | ||
Délka 5.85mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento tranzistor MV MOSFET N-kanál je vyroben s použitím pokročilého procesu PowerTrench® společnosti ON Semiconductor, jehož součástí je technologie stínění hradla. Tento proces je optimalizován pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu. Zároveň si uchovává vynikající spínací výkon a diodu s nejlepším měkkým zotavením ve své třídě.
Technologie MOSFET se stíněným hradlem
Max. hodnota rDS(on) = 4,0 mΩ při VGS = 10 V, ID = 37 A
Max. hodnota rDS(on) = 11,1 mΩ při VGS = 4,5 V, ID = 29 A
O 50 % nižší hodnota Qrr než u ostatních dodavatelů tranzistorů MOSFET
Omezuje šum / rušení EMI při spínání
Možnost Pohonu Logické Úrovně
Použití
Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.
Související odkazy
- řada: FDMS MOSFET FDMS4D5N08LC N-kanálový 116 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS MOSFET N-kanálový 67 A 120 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS MOSFET FDMS4D0N12C N-kanálový 67 A 120 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS006N08MC MOSFET N-kanálový 32 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMC MOSFET N-kanálový 22 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTF MOSFET N-kanálový 84 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTF MOSFET NTTFS5D9N08HTWG N-kanálový 84 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS006N08MC MOSFET NTMFS006N08MC N-kanálový 32 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení