řada: FDMS MOSFET FDMS4D0N12C N-kanálový 67 A 120 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-4409
- Výrobní číslo:
- FDMS4D0N12C
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (na civce po 3000)
112 134,00 Kč
(bez DPH)
135 682,14 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 178-4409
- Výrobní číslo:
- FDMS4D0N12C
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 67A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | FDMS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 106W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.05mm | |
| Délka | 5mm | |
| Šířka | 6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 67A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada FDMS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 106W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.05mm | ||
Délka 5mm | ||
Šířka 6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
Tento tranzistor MV MOSFET N-kanál je vyroben s použitím pokročilého procesu PowerTrench®, jehož součástí je technologie stínění hradla. Tento proces je optimalizován pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu. Zároveň si uchovává vynikající spínací výkon a diodu s nejlepším měkkým zotavením ve své třídě.
Technologie MOSFET se stíněným hradlem
Max. hodnota rDS(on) = 4,0 mΩ při VGS = 10 V, ID = 67 A
Max. hodnota rDS(on) = 8,0 mΩ při VGS = 6 V, ID = 33 A
O 50 % nižší hodnota Qrr než u ostatních dodavatelů tranzistorů MOSFET
Omezuje šum / rušení EMI při spínání
Pouzdro MSL1 s robustním designem
Aplikace:
Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.
Koncové produkty:
Napájecí zdroje AC/DC a DC/DC
Související odkazy
- řada: FDMS MOSFET N-kanálový 67 A 120 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS MOSFET N-kanálový 116 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS MOSFET FDMS4D5N08LC N-kanálový 116 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS86181 MOSFET N-kanálový 124 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS006N08MC MOSFET N-kanálový 32 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS MOSFET N-kanálový 235 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení