MOSFET NTPF190N65S3HF Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 189-0401
Výrobní číslo:: NTPF190N65S3HF
Výrobce:: onsemi

MOSFET NTPF190N65S3HF Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

254,90 Kč

(bez DPH)

308,45 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

750 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	50,98 Kč	254,90 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 189-0401
Výrobní číslo:: NTPF190N65S3HF
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	20A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	190mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	34nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30 V
	Maximální ztrátový výkon Pd	36W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	10.63mm
	Výška	16.12mm
	Šířka	4.9 mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V
	Maximální ztrátový výkon Pd 36W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 10.63mm
	Výška 16.12mm
	Šířka 4.9 mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet NTPF190N65S3HF

SUPERFET III MOSFET je zbrusu nová řada MOSFET on Semiconductor s vysokým napětím (SJ), která využívá technologii vyvažování nabíjení pro vynikající nízký odpor a výkon nabíjení dolních hradel. Tato moderní technologie je přizpůsobená pro minimalizaci ztrát vedením, zajištění vynikající spínacího výkonu a odolnost vůči extrémnímu poměru dv/dt. Proto je SUPERFET III MOSFET velmi vhodný pro různé napájecí systémy pro miniaturizaci a vyšší účinnost. Optimalizovaný výkon funkce obnovení zpětného chodu u tělové diody SUPERFET III FRFET může odstranit další komponenty a zvýšit spolehlivost systému.

700 V při TJ = 150 °C

Mimořádně nízký náboj hradla (typ. Qg = 35 nC)

Nízká efektivní výstupní kapacitance (Typ. COSS(eff.) = 467 pF)

Optimalizovaná kapacita

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Vyšší spolehlivost systému při provozu při nízkých teplotách

Nižší ztráty při spínání

Vysoká spolehlivost systému v obvodech LLC a úplného můstku s fázovým posunem

Nižší špičková hodnota Vds a nižší hodnota oscilace Vgs

Aplikace

Výpočetní technika

Spotřební elektronika

Průmysl

Koncové produkty

Notebook / stolní počítač / herní konzole

Telekomunikace / servery

Osvětlení/předřadníky LED

Adaptér

MOSFET NTPF190N65S3HF Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy