řada: NTMYS1D2N04CL MOSFET NTMYS1D2N04CLTWG N-kanálový 258 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 189-0351
- Výrobní číslo:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
336,66 Kč
(bez DPH)
407,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 67,332 Kč | 336,66 Kč |
| 50 - 95 | 58,046 Kč | 290,23 Kč |
| 100 + | 50,338 Kč | 251,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 189-0351
- Výrobní číslo:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 258A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | NTMYS1D2N04CL | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 134W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 109nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.9mm | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 258A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada NTMYS1D2N04CL | ||
Typ balení LFPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 134W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 109nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.9mm | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslový výkonný MOSFET v 5x6mm pouzdru LFPAK navrženém pro kompaktní a efektivní design a včetně vysokého tepelného výkonu.
Související odkazy
- řada: NTMYS1D2N04CL MOSFET N-kanálový 258 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D0N04C MOSFET N-kanálový 300 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS0D9N04CL MOSFET N-kanálový 330 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS014N06CL MOSFET N-kanálový 36 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS7D3N04CL MOSFET N-kanálový 52 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D4N06CL MOSFET N-kanálový 262 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D5N04CL MOSFET N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS8D0N04C MOSFET N-kanálový 49 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení