řada: NTMTS001N06C MOSFET NTMTS001N06CTXG N-kanálový 376 A 60 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 189-0331
- Výrobní číslo:
- NTMTS001N06CTXG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
200,32 Kč
(bez DPH)
242,38 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 100,16 Kč | 200,32 Kč |
| 20 - 198 | 86,45 Kč | 172,90 Kč |
| 200 - 998 | 74,84 Kč | 149,68 Kč |
| 1000 - 1998 | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
| 2000 + | 59,90 Kč | 119,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 189-0331
- Výrobní číslo:
- NTMTS001N06CTXG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 376A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NTMTS001N06C | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 910μΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 244W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 113nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 8mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 376A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NTMTS001N06C | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 910μΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 244W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 113nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 8mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Malý půdorys (8x8 mm) pro kompaktní design
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Tato zařízení jsou bez obsahu olova, bez obsahu halogenů/BFR
Typické aplikace
Nástroje pro napájení, akumulátory napájené
UAV/Drones, manipulace s materiálem
BMS/Storage, automatizace v domácnostech
Související odkazy
- řada: NTMTS001N06C MOSFET N-kanálový 376 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS86181 MOSFET N-kanálový 124 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS006N08MC MOSFET N-kanálový 32 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS MOSFET N-kanálový 235 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 224 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDMS MOSFET N-kanálový 116 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení