MOSFET STGP8NC60KD STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8476
- Výrobní číslo:
- STGP8NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
182,53 Kč
(bez DPH)
220,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 18,253 Kč | 182,53 Kč |
| 100 - 490 | 16,302 Kč | 163,02 Kč |
| 500 - 990 | 14,03 Kč | 140,30 Kč |
| 1000 - 1990 | 13,832 Kč | 138,32 Kč |
| 2000 + | 13,684 Kč | 136,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8476
- Výrobní číslo:
- STGP8NC60KD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 2.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 2.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento IGBT využívá Advanced PowerMESH™ proces, který zajišťuje vynikající kompromis mezi přepínáním výkonu a nízkým chováním v provozu.
Spouštění při poklesu napětí (VCE(sat))
Velmi jemná, velmi rychlá, antiparalelní dioda
Nižší hodnota RES / Měny (žádná převodní citlivost)
Doba odolnosti proti zkratu 10 μs
Aplikace
Ovládání motoru s vysokou frekvencí
SMPS a PFC jak v hard switch, tak v rezonančních topologiích
Ovladače motoru
Související odkazy
- MOSFET STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STP65N150M9 Typ N-kanálový 20 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STP5NK80Z Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení