MOSFET STP6N95K5 N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8521
- Výrobní číslo:
- STP6N95K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
186,14 Kč
(bez DPH)
225,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 825 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,228 Kč | 186,14 Kč |
| 50 - 245 | 36,298 Kč | 181,49 Kč |
| 250 - 495 | 35,442 Kč | 177,21 Kč |
| 500 + | 33,17 Kč | 165,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8521
- Výrobní číslo:
- STP6N95K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 950V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 950V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tyto vysoce vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET N-channel jsou navrženy pomocí technologie MDmesh™ K5 založené na inovativní vertikální struktuře. Výsledkem je dramatické snížení odolnosti vůči povětrnostním vlivům a mimořádně nízké nabití brány pro aplikace. Připojení stavu produktu vyžaduje vynikající hustotu energie a vysokou efektivitu.
Mimořádně nízké nabití zadní výklopné stěny
Ochrana Zenerovou diodou
Aplikace
Přepínání aplikací
Související odkazy
- MOSFET N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET STF6N95K5 N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET STD6N95K5 N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 9 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET IRF630 N-kanálový 9 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení