MOSFET Typ N-kanálový 7 A 710 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8467P
- Výrobní číslo:
- STD8N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 687,00 Kč
(bez DPH)
2 041,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 67,48 Kč |
| 50 - 120 | 60,812 Kč |
| 125 - 245 | 54,736 Kč |
| 250 + | 52,068 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8467P
- Výrobní číslo:
- STD8N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 710V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.17mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 710V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.17mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tato zařízení jsou vybavena tranzistory MOSFET S N-channel MDmesh™ V, které jsou založeny na inovativní patentované technologii vertikálních procesů. Tyto modely jsou kombinovány s dobře známou strukturou horizontálního rozložení PowerMESH™ společnosti STMicroelectronics. Výsledný výrobek má mimořádně nízký odpor, který není mezi výkonovými tranzistory MOSFET založenými na křemíku nepřekonatelný, takže je vhodný zejména pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu energie a vynikající účinnost.
Celosvětově nejlepší oblast RDS(on)
Vyšší hodnota VDSSratingu
Vysoká schopnost dv/dt
Vynikající spínací vlastnosti
Snadná jízda
Aplikace
Přepínání aplikací