MOSFET STD5NM60T4 Typ N-kanálový 5 A 650 V STMicroelectronics, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8455
- Výrobní číslo:
- STD5NM60T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
323,08 Kč
(bez DPH)
390,925 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 85 jednotka(y) budou odesílané od 26. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 64,616 Kč | 323,08 Kč |
| 50 - 245 | 62,492 Kč | 312,46 Kč |
| 250 - 495 | 60,516 Kč | 302,58 Kč |
| 500 + | 52,462 Kč | 262,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8455
- Výrobní číslo:
- STD5NM60T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 6.2mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 6.2mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MDmesh™ je nová revoluční technologie výkonových MOSFET, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™ společnosti. Výsledný výrobek má vynikající nízkou odolnost, působivě vysoké dv/dt a vynikající lavinové vlastnosti. Přijetí patentované techniky páskových jednotek společnosti přináší celkově dynamické výkony.
Nízká kapacita vstupu a nabíjení brány
Vysoké dv/dt a lavinové schopnosti
Nízký vstupní odpor zadní výklopné stěny
Aplikace
Přepínání aplikací
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 10 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení