řada: SiSS05DN MOSFET SiSS05DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 108 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

246,26 Kč

(bez DPH)

297,97 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 18. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9024,626 Kč246,26 Kč
100 - 24024,157 Kč241,57 Kč
250 - 49018,994 Kč189,94 Kč
500 - 99017,29 Kč172,90 Kč
1000 +14,277 Kč142,77 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
188-5013
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-38-851
Výrobní číslo:
SiSS05DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

108A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

SiSS05DN

Typ balení

PowerPAK 1212

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

5.8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

-1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

76nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

65.7W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.78mm

Délka

3.3mm

Normy/schválení

No

Šířka

3.3 mm

Automobilový standard

Ne

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

Napájení MOSFET TrenchFET® Gen IV s kanálem

Poskytuje výjimečně nízké RDS(on) v kompaktním balení, které je tepelně vylepšeno

Umožňuje vyšší hustotu energie

Související odkazy