řada: SiSS61DN MOSFET SiSS61DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 111.9 A 20 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 188-4905
- Výrobní číslo:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
37 287,00 Kč
(bez DPH)
45 117,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 10. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 12,429 Kč | 37 287,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4905
- Výrobní číslo:
- SiSS61DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 111.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | SiSS61DN | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.8W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 154nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Výška | 780μm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 111.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada SiSS61DN | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.8W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 154nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.3mm | ||
Výška 780μm | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen III s P-kanálem
Vedoucí RDS(on) v kompaktním a tepelně vylepšeném balení
Související odkazy
- řada: SiSS61DN MOSFET SiSS61DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 111.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI7113DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SIS443DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 35 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SI7315DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 8.9 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: SiSS05DN MOSFET SiSS05DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 108 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiSH101DN MOSFET SiSH101DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 35 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiSS73DN MOSFET SISS73DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 16.2 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI7415DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.7 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení