řada: SiHW21N80AE MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 524,35 Kč

(bez DPH)

3 054,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 12. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3084,145 Kč2 524,35 Kč
60 - 12082,465 Kč2 473,95 Kč
150 +78,258 Kč2 347,74 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
188-4880
Výrobní číslo:
SIHW21N80AE-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

17.4A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-247

Řada

SiHW21N80AE

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

235mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

48nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

32W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

21.46mm

Normy/schválení

No

Šířka

5.31 mm

Délka

16.26mm

Automobilový standard

Ne

Napájecí MOSFET řady E.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacitance (Co(er))

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

APLIKACE

Serverové a telekomunikační napájecí zdroje

Spínané napájecí zdroje (SMPS)

Napájecí zdroje s kompenzací účiníku (PFC)

Související odkazy