řada: SiHW21N80AE MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-4880
- Výrobní číslo:
- SIHW21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 845,44 Kč
(bez DPH)
3 442,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 94,848 Kč | 2 845,44 Kč |
| 60 - 120 | 92,954 Kč | 2 788,62 Kč |
| 150 + | 88,212 Kč | 2 646,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4880
- Výrobní číslo:
- SIHW21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | SiHW21N80AE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 235mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 32W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 16.26mm | |
| Výška | 21.46mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada SiHW21N80AE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 235mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 32W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 16.26mm | ||
Výška 21.46mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET řady E.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacitance (Co(er))
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
APLIKACE
Serverové a telekomunikační napájecí zdroje
Spínané napájecí zdroje (SMPS)
Napájecí zdroje s kompenzací účiníku (PFC)
Související odkazy
- řada: SiHW21N80AE MOSFET SIHW21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHG21N80AE MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHG21N80AE MOSFET SIHG21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení