řada: SiHG21N80AE MOSFET SIHG21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-4989
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-38-848
- Výrobní číslo:
- SIHG21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
250,21 Kč
(bez DPH)
302,754 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 44 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 125,105 Kč | 250,21 Kč |
| 20 - 48 | 112,63 Kč | 225,26 Kč |
| 50 - 98 | 106,58 Kč | 213,16 Kč |
| 100 - 198 | 100,16 Kč | 200,32 Kč |
| 200 + | 93,985 Kč | 187,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4989
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-38-848
- Výrobní číslo:
- SIHG21N80AE-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | SiHG21N80AE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 235mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 32W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.31 mm | |
| Výška | 20.82mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada SiHG21N80AE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 235mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 32W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.31 mm | ||
Výška 20.82mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET řady E.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacitance (Co(er))
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
APLIKACE
Serverové a telekomunikační napájecí zdroje
Spínané napájecí zdroje (SMPS)
Napájecí zdroje s kompenzací účiníku (PFC)
Související odkazy
- řada: SiHG21N80AE MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHW21N80AE MOSFET SIHW21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHW21N80AE MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB21N80AE-GE3 Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 17.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG15N80AE-GE3 Typ N-kanálový 13 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG11N80AE-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení