AEC-Q101 MOSFET NTR1P02LT1G Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 186-8957
- Výrobní číslo:
- NTR1P02LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
180,55 Kč
(bez DPH)
218,475 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 575 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 7,222 Kč | 180,55 Kč |
| 100 - 225 | 6,234 Kč | 155,85 Kč |
| 250 - 475 | 5,404 Kč | 135,10 Kč |
| 500 - 975 | 4,742 Kč | 118,55 Kč |
| 1000 + | 4,318 Kč | 107,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-8957
- Výrobní číslo:
- NTR1P02LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 400mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.04mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Výška | 1.01mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 400mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.04mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Výška 1.01mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tato miniaturní povrchová montáž tranzistorů MOSFET s nízkým výkonem RDS(on) zajišťuje minimální ztrátu energie a šetří energii, takže tato zařízení jsou ideální pro použití v obvodech pro řízení spotřeby citlivých na prostor. Typické aplikace těchto tranzistorů MOSFET s malým kanálem P-Channel jsou převodníky DC-DC a správa napájení v přenosných a bateriových produktech, jako jsou počítače, tiskárny, karty PCMCIA, mobilní a bezdrátové telefony.
Nízká úroveň RDS(on) zajišťuje vyšší efektivitu a rozšiřuje životnost baterie
Miniaturní sada SOT-23 pro povrchovou montáž - Prostor na desce
Koncové produkty
Počítače
Tiskárny
Karty PCMCIA
Celulární a bezšňůrové Telefony
Aplikace
Měniče DC/DC
Správa napájení v přenosných produktech a produktech napájených bateriemi
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR1P02LT3G Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDN352AP Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NDS331 MOSFET Typ N-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NDS331 MOSFET NDS331N Typ N-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVR1P02T1G Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení