AEC-Q101, řada: DMG MOSFET Typ P-kanálový 4 A 20 V DiodesZetex, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 182-7104P
- Výrobní číslo:
- DMG3415U-7-57
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
586,40 Kč
(bez DPH)
709,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 02. září 2026
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 23. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 400 | 2,932 Kč |
| 500 - 900 | 2,342 Kč |
| 1000 - 1900 | 2,129 Kč |
| 2000 + | 1,951 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 182-7104P
- Výrobní číslo:
- DMG3415U-7-57
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | DMG | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 71mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 900mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada DMG | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 71mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 900mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.4mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tato nová generace MOSFET je navržena tak, aby minimalizovala odpor na stavu (RDS(ON)) a zároveň zachovala špičkový přepínací výkon, takže je ideální pro aplikace vysoce účinné správy napájení.
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Vysoká spínací rychlost
Nízký vstupní/výstupní únik
Ochrana proti ESD do 3 kV
Zcela bez kabelů
Bez obsahu halogenů a antimonu "Zelené" zařízení.
Možnost PPAP
Aplikace
Měniče DC/DC
Funkce řízení výkonu
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení