řada: FDMS86181 MOSFET FDMS86181 Typ N-kanálový 124 A 100 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 181-1895
- Výrobní číslo:
- FDMS86181
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
392,48 Kč
(bez DPH)
474,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 965 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 78,496 Kč | 392,48 Kč |
| 50 - 95 | 67,678 Kč | 338,39 Kč |
| 100 + | 58,688 Kč | 293,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 181-1895
- Výrobní číslo:
- FDMS86181
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 124A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | FDMS86181 | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.85mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Výška | 1.05mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 124A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada FDMS86181 | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.85mm | ||
Šířka 5mm | ||
Výška 1.05mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
Tento MOSFET N-Channel MV je vyráběn pomocí Advanced PowerTrench®, který obsahuje technologii Shielded Gate. Tento proces byl optimalizován tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, a přesto si udržoval vynikající přepínací výkon s nejlepší diodou z měkkých částí ve své třídě.
Technologie MOSFET se stíněným hradlem
MAX RDS(on) = 4,2 mΩ u VGS = 10 V, ID = 44 A.
MAX RDS(on) = 12 mΩ v VGS = 6 V, ID = 22 A.
Přidat
O 50 % nižší hodnota Qrr než u ostatních dodavatelů tranzistorů MOSFET
Omezuje šum / rušení EMI při spínání
Tento produkt slouží pro obecné použití a je vhodný pro mnoho různých aplikací.
Související odkazy
- řada: FDMS86181 MOSFET Typ N-kanálový 124 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS006N08MC MOSFET Typ N-kanálový 32 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Power MOSFET Typ N-kanálový 150 A 25 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTF MOSFET Typ N-kanálový 150 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET Typ N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 61 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTF MOSFET Typ N-kanálový 103 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 224 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení