Výkonový MOSFET IRFS11N50APBF Typ N-kanálový 11 A 500 V, TO-263 Vishay Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8783
- Výrobní číslo:
- IRFS11N50APBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
421,38 Kč
(bez DPH)
509,87 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 255 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 84,276 Kč | 421,38 Kč |
| 50 - 120 | 75,83 Kč | 379,15 Kč |
| 125 - 245 | 71,63 Kč | 358,15 Kč |
| 250 - 495 | 67,382 Kč | 336,91 Kč |
| 500 + | 63,182 Kč | 315,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-8783
- Výrobní číslo:
- IRFS11N50APBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.52Ω | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±30 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.52Ω | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay MOSFET je N-kanál, TO-263-3 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 500V a maximální hradlo-zdroj napětí 30V. Má odpor zdroje vypouštění 520 mohm při napětí hradla-zdroje 10V. MOSFET má maximální ztrátový výkon 170W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• efektivní coss specifikováno
• plně charakterizovaná kapacita a lavinové napětí a proud
• Halogenová a olověná (Pb) volná složka
• vylepšené brány, laviny a dynamické DV/dt
• nízké nabíjení hradla QG má za následek jednoduchý požadavek na pohon
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
Aplikace
• vysokorychlostní přepínání napájení
• spícího režimu napájení (SMPS)
• nepřerušitelné zdroje napájení
Související odkazy
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 11 A 500 V, TO-263 Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 11 A 60 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9Z24SPBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 5.2 A 200 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 6.8 A 100 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF620SPBF Typ N-kanálový 5.2 A 200 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9520SPBF Typ P-kanálový 6.8 A 100 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRF9640SPBF P-kanálový 11 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si